高“设备”含量的科创半导体ETF（588170）近10天合计“吸金”3.37亿元

截至2026年2月9日 14:06，上证科创板半导体材料设备主题指数(950125)强势上涨2.05%，成分股兴福电子上涨8.06%，华海诚科上涨6.73%，晶升股份上涨6.51%，耐科装备，华峰测控等个股跟涨。科创半导体ETF(588170)上涨2.02%，最新价报1.77元。

截至2026年2月9日 14:08，中证半导体材料设备主题指数(931743)强势上涨2.31%，成分股广立微上涨7.43%，华海诚科上涨6.79%，晶升股份上涨6.51%，华峰测控，中船特气等个股跟涨。半导体设备ETF华夏(562590)上涨2.13%，最新价报1.92元。

流动性方面，科创半导体ETF盘中换手6.78%，成交5.50亿元；半导体设备ETF华夏盘中换手3.77%，成交1.04亿元。

规模方面，科创半导体ETF近1月规模增长33.84亿元，实现显著增长，新增规模位居可比基金1/3；半导体设备ETF华夏最新规模达26.91亿元。

资金流入方面，科创半导体ETF最新资金净流入8744.07万元。拉长时间看，近10个交易日内有6日资金净流入，合计“吸金”3.37亿元，日均净流入达3365.63万元；半导体设备ETF华夏最新资金净流出378.03万元。拉长时间看，近21个交易日内有15日资金净流入，合计“吸金”16.04亿元，日均净流入达7636.82万元。

消息面上，一种新型的交易模式正在存储巨头和客户之间兴起，三星、SK海力士和美光正在转向短期合同，其中一些合同包含“结算后”条款。即使在供应结束后，付款也会根据市场价格进行调整，从而获取价格上涨带来的收益。据悉，该条款主要针对北美大型科技客户。

银河证券指出，1月存储市场延续2025年四季度以来的强势上涨态势，DRAM和NAND闪存价格涨幅持续超预期。三星电子、SK海力士等头部厂商一季度合约价大幅上调，其中NAND闪存供应价格上调超100%，DRAM价格涨幅达60%-70%。涨价核心驱动因素包括：AI服务器对HBM需求爆发、数据中心资本开支加码、产能结构性调整等，供需缺口持续扩大，预计本轮涨价周期将延续至2026年中。

相关ETF：公开信息显示， 科创半导体ETF（588170）及其联接基金（A类：024417；C类：024418）跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数，囊括科创板中 半导体设备（60%）和半导体材料（25%）细分领域的硬科技公司。 半导体设备和材料行业是重要的国产替代领域，具备国产化率较低、国产替代天花板较高属性，受益于人工智能革命下的半导体需求，扩张、科技重组并购浪潮、光刻机技术进展。

半导体设备ETF华夏（562590）及其联接基金（A类：020356；C类：020357），指数中半导体设备（63%）、半导体材料（24%）占比靠前，充分聚焦半导体上游。