三星据悉与英伟达合作加速研发下一代NAND闪存，高“设备”含量的科创半导体ETF（588170）近5天合计”吸金”2.21亿元

截至2026年3月13日10:22，科创半导体ETF（588170）下跌0.67%，半导体设备ETF华夏（562590）多空胶着。

热门个股方面，和林微纳领涨3.79%，耐科装备上涨2.36%，艾森股份上涨1.42%;中科飞测领跌3.53%，欧莱新材下跌2.82%,华海诚科下跌2.57%。

流动性方面，科创半导体ETF盘中换手2.97%，成交2.50亿元；半导体设备ETF华夏盘中换手1.47%，成交3948.48万元。

规模方面，科创半导体ETF近1月规模增长3.68亿元，实现显著增长，新增规模领先同类；半导体设备ETF华夏最新规模达26.97亿元。

资金流入方面，科创半导体ETF最新资金净流入5304.27万元。拉长时间看，近5个交易日内有4日资金净流入，合计”吸金”2.21亿元，日均净流入达4427.70万元；半导体设备ETF华夏近8天获得连续资金净流入，最高单日获得1.27亿元净流入，合计“吸金”3.06亿元，日均净流入达3826.61万元。

消息面上，据媒体援引未具名业内人士的话报道，三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片。三星半导体研究院、 英伟达和佐治亚州理工学院的联合研究团队开发出一种“物理信息神经算子”模型，能以比现有模型快10,000倍以上的速度分析铁电基NAND器件的性能，并公布了研究成果。基于相关研究成果，三星正与英伟达合作开发和商业化铁电NAND闪存。

财达证券认为，人工智能产业发展进入快速阶段，AI技术从数据训练阶段逐步向推理阶段演进，对大规模数据存储的需求与日俱增，NAND存储的产业价值进一步凸显。同时全球各大科技企业纷纷加大对AI数据中心的投资布局，直接带动存储设备需求快速攀升，成为推高NAND闪存价格的核心动因。三星电子已在今年第一季度将NAND闪存产品价格较上一季度上调约100%。若第二季度延续相同涨幅，其NAND产品价格较去年年底将累计上涨约200%,整体上HBM/DDR5供需缺口仍然较大，作为AI算力链的重要环节，存储芯片产业链可重点关注

相关ETF：科创半导体ETF（588170）及其联接基金（A类：024417；C类：024418）：跟踪指数是科创板唯一的半导体设备主题指数，其中先进封装含量在全市场中最高（约50%），聚焦于科技创新前沿的硬核设备公司。

半导体设备ETF华夏（562590）及其联接基金（A类：020356；C类：020357），跟踪中证半导体材料设备主题指数，其中半导体设备的含量在全市场指数中最高（约63%），直接受益于全球芯片涨价潮对“卖铲人”（设备商）的确定性需求。