截至5月12日10：46，科创芯片设计ETF国联安(588780)涨1.05%，创历史新高！盘中换手率超17%，成交额近2亿元；权重股寒武纪涨6.5%、芯原股份涨3.5%、龙芯中科涨2.48%，盛科通信-U跌5.11%、东芯股份跌3.78%、澜起科技跌2.49%。
截至前一交易日，科创芯片设计ETF国联安（588780）近一月涨幅33.8%，近一年涨幅115.82%，过往表现突出。该基金连续四日获资金净流入，合计“吸金”超1.1亿元；近一月日均成交额1.94亿元，排名同类第一，场内交投活跃、流动性强。
科创芯片设计ETF国联安(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比超九成，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，体现核心算力板块趋势。科创芯片设计ETF国联安(588780)是跟踪同指数的产品中，成立时间最早、规模最大的产品。
全球三大原厂（三星、SK海力士、美光）2026年均未启动大规模扩产，根据市场调研机构Omdia的数据，三大原厂2026年的DRAM总产能，相较2025年仅增长约5%，产能增量极为有限，产值增长几乎完全由单价提升驱动。DRAM综合合约价季度环比涨幅达50%-60%，NAND合约价季度环比涨65%-70%。中信证券坚定判断：供不应求将持续至2027年，涨价贯穿2026年全年。
高盛研报指出，市场正处于过去15年来最严重的存储芯片供应短缺前夜——2026年全球DRAM市场供需缺口达4.9%，NAND Flash缺口达4.2%，AI核心配件HBM缺口更高达5.1%，均为2011年以来最高水平。
风险提示：以上所有信息仅作为参考，不构成投资建议，一切投资操作信息不能作为投资依据。投资有风险，入市需谨慎。
注：“成立最早、规模最大”指截至2026.4.30，科创芯片设计ETF国联安为全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF中，成立时间最早、规模最大的产品。
