SK海力士拟赴美上市、产能翻三倍，HBM4E最快本月出货，科创芯片设计ETF浦银(589250）早盘涨超1.5%，2026年半

美伊达成协议，中东局势缓和，亚太股市大涨。

6月15日，主要股指高开，芯片板块走强。截至9:31，科创芯片设计ETF浦银(589250）涨1.53%，样本股，普冉股份、海光信息、帝奥微涨超3%，安路科技、盛科通信、佰维存储等纷纷上涨。

Wind数据显示，截至前一交易日，科创芯片设计ETF浦银(589250）跟踪的上证科创板芯片设计主题指数近1年涨100.64%。

韩国SK集团会长近期透露，为满足人工智能发展带来的旺盛需求，旗下存储芯片子公司SK海力士计划到2034年将芯片晶圆产能提升至目前的三倍。在产能扩张的同时，SK海力士正加速推进全球化资本布局，已确认计划于年内发行美国存托凭证（ADR），赴美上市。

在产品与技术端，SK海力士在本月举办的台北国际电脑展（COMPUTEX）上正式展出了新一代HBM4E存储芯片。目前，公司正积极筹备向主要客户送样，首批HBM4E样品最快将于本月出货，最迟不会超过下个月。

国元证券研报指出，WSTS预计2026年全球半导体增长90%，达到1.5万亿美元，主要由存储芯片驱动，同比增加250%，逻辑电路预计2026年增长37%。2025-2027年，三大原厂HBM晶圆投入量分别占DRAM晶圆总投入量从18%提升到30%，HBM位元供应量占DRAM位元总供应量从8%提升到13%。

科创芯片设计ETF浦银(589250）紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数（950162），高度聚焦50只科创板芯片设计上市公司，其中数字芯片设计权重占比近八成。规避了半导体材料设备、制造、封测等环节，在芯片板块环节中，相较半导体材料指数估值较低，更契合产业发展趋势。

弹性方面，上证科创板芯片设计主题指数只包含科创板的芯片设计公司，成分股单日涨跌幅为±20%，弹性更大、进攻性更强。

成长性方面，科创芯片设计ETF浦银(589250)跟踪上证科创板芯片设计主题指数，在2024年1月5日-2026年3月30日期间，标的指数累计上涨141.86%，是涨幅第一的芯片行业主题指数，高于科创芯片（133.60%）、中证全指半导体（97.77%）和半导体材料设备（98.39%）。

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