科创芯片设计ETF国联安、半导体ETF国联安双双升超2%

上周五美股存储芯片股继续走高、全周大涨，闪迪收涨超7%、全周累涨35%，SK海力士一周涨超20%

8月17日，A股三大指数集体高开，半导体芯片板块继续上涨，存储芯片直线拉升。截至9：48，科创芯片设计ETF国联安(588780)上涨2.48%，成分股中，芯朋微涨8.99%、普冉股份涨7.46%、芯原股份涨5.69%、盛科通信-U涨3.83%、寒武纪涨3.48%，杰华特跌3.46%、聚辰股份跌0.9%、睿创微纳跌0.42%。

半导体ETF国联安(512480)上涨2.51%，权重股兆易创新涨4.86%，寒武纪涨3.44%，北方华创涨1.71%，澜起科技涨2.29%，中微公司涨2.17%，海光信息涨2.1%，中芯国际涨0.75%，佰维存储涨4.03%，拓荆科技涨2.13%，芯原股份涨6.23%。

截至前一交易日，科创芯片设计ETF国联安（588780）近六月涨幅10.5%，近一年涨幅68.47%。过往表现突出。截至前一交易日，该基金近一月合计净流入4558.91万元。近一年合计净流入5.05亿元。

截至前一交易日，半导体ETF国联安（512480）近六月涨幅30.15%，近一年涨幅90.45%。过往表现突出。半导体ETF国联安（512480）持续获得资金涌入。截至前一交易日，该基金近一周合计净流入2.09亿元，近一月合计净流入7.27亿元。

值得注意的是，半导体ETF国联安（512480）是目前全市场唯一一只跟踪中证全指半导体的ETF，具备稀缺性。

消息面上，存储芯片本轮涨价行情持续，二季度普通DRAM、NANDFlash合约价均实现五成以上环比大涨，三季度涨幅虽有所收窄，但仍将维持环比上涨态势，且DDR2、SLCNAND等老旧存储产品涨幅远超新品。本轮涨价核心并非传统消费端需求回暖，而是三星、SK海力士、美光等原厂产能大幅向HBM、高端DRAM、企业级NAND倾斜，传统存储产品产能持续收缩。

与此同时，财报业绩密集报喜，龙头超预期。中微半导体上半年营业收入7.26亿元同比增44%；归母净利润1.72亿元同比增98.48%；中芯国际二季度营收首次突破30亿美元，同比增长36.1%，归母净利润同比增长近4倍；华虹宏力二季度销售收入同样创历史新高，达7.175亿美元，同比增长26.8%；海光信息上半年营业收入达90.99亿元，同比增长66.52%，逼近百亿关口。

国金证券表示，每轮存储大周期的开启都是由新兴技术推动产品升级和创新，进而催生新产品的总量、渗透率和存储器价值量的提升，推动存储器市场规模上升一个台阶。随着AI驱动需求提升，当下正走在新一轮存储大周期的起点。

科创芯片设计ETF国联安(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比超九成，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，体现核心算力板块趋势。科创芯片设计ETF国联安(588780)是跟踪同指数的产品中，成立时间最早的产品。

此外，半导体ETF国联安(512480)备受市场关注，是目前唯一跟踪中证全指半导体指数的ETF，一键布局中国半导体全产业链更均衡。场外联接(A类：007300；C类：007301)。

风险提示：以上所有信息仅作为参考，不构成投资建议，一切投资操作信息不能作为投资依据。投资有风险，入市需谨慎。

注：“成立最早”指截至2026.8.6，科创芯片设计ETF国联安为全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF中，成立时间最早的产品。