科创芯片设计ETF国联安（588780）、半导体ETF国联安（512480）双双涨近2%，涨幅同类居前

8月21日，A股三大指数低开高走，盘中集体翻红，半导体芯片板块直线拉升，光刻机、存储芯片方向领涨。截至10：14，科创芯片设计ETF国联安(588780)上涨1.75%，涨幅同类居前，盘中换手率近9%，成分股中，峰岹科技涨9.5%、裕太微-U涨6.12%、新相微涨5.65%、芯朋微涨4.82%、寒武纪涨4.53%，恒玄科技跌2.84%、乐鑫科技跌0.95%、芯动联科跌0.94%、普冉股份跌0.31%

半导体ETF国联安(512480)上涨1.54%，盘中成交额近5亿，权重股兆易创新涨1.43%，寒武纪涨4.53%，北方华创涨1.25%，澜起科技涨2%，中微公司涨0.75%，海光信息涨0.82%，中芯国际涨0.4%，佰维存储涨1.59%，拓荆科技涨2.76%，芯原股份涨1.92%。

截至前一交易日，科创芯片设计ETF国联安（588780）近一年涨幅46.15%。过往表现突出。该基金近一月日均成交额2.4亿元，排名同类居前，场内交投活跃、流动性强。

截至前一交易日，半导体ETF国联安（512480）近六月涨幅25.56%，近一年涨幅72.02%。过往表现突出。半导体ETF国联安（512480）持续获得资金涌入，前一交易日获资金净流入2934.66万元。截至前一交易日，该基金近一周合计净流入3.41亿元。近三月合计净流入27.41亿元。

值得注意的是，半导体ETF国联安（512480）是目前全市场唯一一只跟踪中证全指半导体的ETF，具备稀缺性。

消息面上，证监会官网显示，长江存储控股股份有限公司（简称“长存控股”）日前向湖北证监j提交《辅导工作完成报告》，公司IPO辅导状态变更为辅导验收。

长江存储成立于2016年7月，是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案于一体的存储器IDM（垂直整合制造）企业，也是国内唯一具备3D NAND闪存自主研发与生产能力的存储器IDM厂商。

在今年8月12日由全球知名市场研究机构Counterpoint Research发布的《2026 年第二季度存储与内存追踪报告》显示，长江存储在本季度以14%的出货量份额，首次跃居全球第三，小幅超越铠侠（Kioxia），达成历史性突破。

长江存储正在推进三期项目的扩产。2025年9月5日，长江存储与湖北长晟三期共同出资207.2 亿成立长存三期（武汉）集成电路有限责任公司，其中长江存储出资104亿元、持股50.1931%；湖北长晟三期出资103.2亿元，持股49.8068%。

国盛证券强调，DRAM行业具有极高的技术与资金门槛，已形成一定规模的领先企业可通过规模效应降低成本，巩固已有优势。随着长鑫科技目前规划产能建设投入逐步完成及产能快速爬坡，业务规模效应逐步显现，叠加IDM模式下各业务环节的有效协同和高效的成本管控，公司产品成本优势和价格竞争力将持续增强，助力未来进一步加速市场渗透。

科创芯片设计ETF国联安(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比超九成，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，体现核心算力板块趋势。科创芯片设计ETF国联安(588780)是跟踪同指数的产品中，成立时间最早的产品。

此外，半导体ETF国联安(512480)备受市场关注，是目前唯一跟踪中证全指半导体指数的ETF，一键布局中国半导体全产业链更均衡。场外联接(A类：007300；C类：007301)。

风险提示：以上所有信息仅作为参考，不构成投资建议，一切投资操作信息不能作为投资依据。投资有风险，入市需谨慎。

注：“成立最早”指截至2026.8.6，科创芯片设计ETF国联安为全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF中，成立时间最早的产品。