北方华创重大技术突破,助力国产存储厂商绕开EUV光刻机封锁,关注半导体设备ETF易方达(159558)
截至10:55,中证半导体材料设备主题指数(931743)涨3.05%;权重股,中微公司涨2.21%,北方华创涨3.06%,长川科技涨5.46%,拓荆科技涨3.39%,华海清科涨0.94%,中科飞测涨3.7%,江丰电子涨4.76%,华峰测控涨4.78%,芯源微涨3.82%,沪硅产业涨1.42%;该指数近1年涨114.09%。
半导体设备ETF易方达(159558)跟踪中证半导体材料设备主题指数。
消息面上,近日北方华创在IEEE期刊发表学术论文,宣布在3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破。公司开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺,有望助力长鑫存储等国产存储厂商
绕过EUV光刻机封锁,推进3D DRAM自主量产。
申万宏源研报指出,AI需求爆发叠加周期上行,全球半导体进入新一轮超级扩产周期。据Bernstein数据,2025年中国晶圆制造设备(WFE)国产化率已达到21%,较2024年的16%提升5个百分点,并预计2026年将进一步升至约26%。
半导体设备ETF易方达(159558)紧密跟踪中证半导体材料设备主题指数,该指数聚焦半导体设备与半导体材料领域,在国产化趋势中具备较强弹性。
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