三星更新先进内存路线图，亚10nmDRAM转向混合键合，关注科创芯片设计ETF浦银(589250）

9月28日，A股主要股指下跌，芯片板块早盘小幅调整。

截至9：38，科创芯片设计ETF浦银(589250）跟踪的上证科创板芯片设计主题指数（950162）跌2.11%；样本股，东芯股份涨2.43%、思瑞浦涨1.01%，寒武纪跌4.35%、新相微跌3.48%、普冉股份跌3.11%、聚辰股份跌2.8%、翱捷科技-U跌2.77%；该指数近3年涨186.11%。

据媒体报道，三星电子存储器业务更新了先进内存技术规划，首代亚 10nm DRAM 将引入混合键合架构。

据悉，这项技术正加速渗透 AI 逻辑芯片、HBM、CPO 等场景，市场测算，2030 年混合键合设备市场体量约 200 亿元。

国信证券研报指出，AI需求重塑存储新范式，存储已不再是单纯的算力配套资源，而是成为了决定AI系统整体性能与上限的核心基础设施。服务器逐步超越手机成为存储需求最主要的市场，2026年服务器DRAM占比预计将超过50%，服务器NANDBit需求预计大增超60%并首次成为最大应用。

科创芯片设计ETF浦银(589250）紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数（950162），高度聚焦50只科创板芯片设计上市公司，其中数字芯片设计权重占比近八成。规避了半导体材料设备、制造、封测等环节，在芯片板块环节中，相较半导体材料设备指数估值较低，更契合产业发展趋势。

弹性方面，上证科创板芯片设计主题指数只包含科创板的芯片设计公司，成分股单日涨跌幅为±20%，弹性更大、进攻性更强。

成长性方面，科创芯片设计ETF浦银(589250)跟踪上证科创板芯片设计主题指数，在2024年1月5日-2026年3月30日期间，标的指数累计上涨141.86%，是涨幅第一的芯片行业主题指数，高于科创芯片（133.60%）、中证全指半导体（97.77%）和半导体材料设备（98.39%）。

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