晶合集成公开半导体结构及其制作方法专利

企查查数据显示，晶合集成（02249.HK）公开半导体结构及其制作方法专利，申请日期为2026年9月9日。专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制作方法。半导体结构的制作方法在衬底上形成栅极结构，在栅极结构两侧的衬底上形成第一层间介质层，在栅极结构至少一侧的第一层间介质层中形成凹槽，向凹槽中填充可膨胀材料，可膨胀材料在预设处理条件下能够发生体积不可逆膨胀，在预设处理条件下处理凹槽中的可膨胀材料，使可膨胀材料的体积膨胀，在凹槽中形成应力诱变部，应力诱变部能够对栅极结构产生横向挤压应力，横向挤压应力通过栅极结构传递至下方的沟道区，能够提升沟道区的载流子迁移率，进而增大器件的驱动电流并提高响应速度。
本文为AI基于商业动态数据生成，仅供参考。