据国外媒体报道称，近日ASML CEO接受媒体采访时表示，中国早已研发国产光刻设备。在这位CEO看来，尽管中国在赶超ASML的技术方面还有很长的路要走，但美国出台的打压措施只会适得其反，让中国“更努力取得成功”。他还称，与其打压中国等竞争对手，不如将注意力放在创新上。“中国已经开始研发一些国产光刻设备，尽管中国在赶超ASML的技术方面还有很长的路要走，但你试图阻止的人会更加努力地取得成功。”
在这之前，中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV(深紫外)激光，可发射193nm的相干光，与目前主流的DUV曝光波长一致，能将半导体工艺推进至3nm。中国科学院的这种技术最终获得的激光平均功率为70mW，频率为6kHz，线宽低于880MHz，半峰全宽(FWHM)小于0.11pm(皮米，千分之一纳米)，光谱纯度与现有商用准分子激光系统相当。基于此，甚至可用于3nm的工艺节点。这种设计可以大幅降低光刻系统的复杂度、体积，减少对于稀有气体的依赖，并大大降低能耗。