中国芯，世界梦，长晶科技引领国产半导体全面突破

国内半导体功率器件市场近年来呈现出蓬勃发展的态势，随着科技的不断进步和电子信息产品的广泛应用，功率半导体作为现代电子工业的基础，其重要性日益凸显。在这个充满机遇与挑战的市场中，长晶科技凭借其卓越的技术实力、全产业链布局和深厚的行业积淀，在保持二极管、三极管等传统产品优势的基础上，自主研发了MOSFET、IGBT、电源管理IC等产品的关键核心技术，正逐步迈向世界一流半导体品牌的行列。

长晶科技自2018年成立以来，始终秉持“创造世界一流的半导体品牌”的发展愿景，专注于半导体功率器件的研发、生产和销售。公司总部坐落于江苏南京江北新区研创园，并在深圳、上海、北京、香港等地设有子公司及办事处，构建了完善的全球研发和销售网络。凭借深厚的技术积淀和敏锐的市场洞察力，长晶科技在半导体功率器件领域取得了显著成就。

在技术创新方面，长晶科技深知这是企业持续发展的核心动力。因此，公司高度重视研发投入，组建了高素质、专业化的研发团队，不断攻克技术难关。长晶科技主导的“低功耗高可靠超结MOS器件关键技术研究”项目成功入选江苏省重点研发计划，而“超低内阻晶圆级封装功率MOS器件”项目也成功入选南京市江北新区重点研发计划。这些项目的成功入选，不仅彰显了长晶科技在半导体功率器件领域的深厚技术底蕴，也为其后续的技术创新和市场拓展奠定了坚实基础。

同时，长晶科技在自主研发方面也取得了丰硕成果。公司自主研发的CSP MOSFET产品经江苏省工业和信息化厅鉴定，总体处于国内领先、国际先进水平，并与SGT MOSFET产品共同被南京市工信局认定为“南京市创新产品”。此外，长晶科技还参与制定了半导体产品相关的国标、团标等各项标准，进一步巩固了其在半导体功率器件领域的领先地位。

另外，长晶科技高度重视研发知识体系建设，通过申请专利、集成电路布图设计等形成了对公司产品的技术保护。截至 2024年底，公司拥有已授权的专利 220件（其中发明专利75件），集成电路布图设计专有权97件，合计知识产权数量约365件。

为了进一步提升市场竞争力和抗风险能力，长晶科技积极推进全产业链布局。公司从芯片设计、芯片制造、封装测试到销售等各个环节进行深度整合，形成了完整的产业链体系。通过产业并购、合资合作等方式，长晶科技不断补全产业链环节，实现了从Fabless（无晶圆厂）模式向IDM（垂直整合制造工厂）模式的转变。

在市场拓展方面，长晶科技积极开拓国内外市场，与众多知名品牌终端客户建立了良好的合作关系。公司产品广泛应用于消费、工业、汽车、新能源等多个领域，并得到了客户的一致好评。同时，长晶科技还注重深化客户服务，建立了完善的售前、售中、售后服务体系。通过不断优化产品性能和服务质量，长晶科技努力为客户提供更加优质、高效的服务，赢得了市场的广泛认可。

值得一提的是，长晶科技近期发布了新款FST3.0 IGBT产品。这款产品在性能上实现了显著提升，不仅具有更低的导通损耗和开关损耗，还具备更高的可靠性和稳定性。FST3.0 IGBT的发布，不仅彰显了长晶科技在半导体功率器件领域的创新实力，也为其在新能源汽车、工业自动化等高端市场赢得了更多机会。

从始至终，面对国家对于半导体产业发展的高度重视，长晶科技积极响应号召，加速推进半导体功率器件的国产化替代进程。通过加大研发投入，提升产品质量，长晶科技正逐步打破国外企业在高端半导体领域的垄断，为中国半导体产业的崛起贡献力量。

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